氟掺杂纳米 TiO2 薄膜的低温制备及其光催化性能

 以氟化铵为氟源, 采用水热法制得氟掺杂 TiO2 (FTO) 溶胶, 并通过浸渍提拉法在低温下制备了 FTO 薄膜. 其中在 120 oC 下水热处理 10 h 所得的 TiO2 溶胶制备的薄膜均匀透明, 具有较高的光催化活性. 氟掺杂后的 TiO2 晶粒尺寸并未发生明显变化, 但薄膜的光催化活性显著升高. F/Ti 摩尔比为 0.01 时, FTO 薄膜的光催化活性最高, 比 TiO2 薄膜的活性升高了 23%. X 射线光电子能谱结果表明, 氟掺杂 TiO2 中的氟离子存在晶格取代掺杂和表面化学吸附两种形式. 这两种氟离子的共同作用是 FTO 薄膜光催化活性升高的主要原因.     

介孔纳米 MoPO-AlPO4 的制备及其对异丁烯选择氧化的催化性能

 分别采用溶胶-凝胶法和等体积浸渍法制备了 MoPO-AlPO4 催化剂, 考察了钼物种存在状态对催化剂晶格氧活性以及异丁烯选择氧化反应性能的影响. N2 吸附-脱附、X 射线衍射、高分辨透射电镜、X 射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱、程序升温还原和微反实验结果表明, 与浸渍法制备的催化剂相比, 溶胶-凝胶法制备的 MoPO-AlPO4 催化剂为介孔纳米材料, 其比表面积和孔数量均有较大程度的提高. 在浸渍法制备的催化剂中, 钼物种以四面体 MoO42− 和八表面体 MoO66− 形式存在; 而在溶胶-凝胶法制备的催化剂中钼物种主要以四面体 MoO42− 的形式存在, 并有部分钼物种嵌入到了 AlPO4 骨架中. 钼物种的种类对异丁烯选择氧化反应的活性和选择性有较大影响, 溶胶-凝胶法制备的催化剂由于嵌入 AlPO4 骨架中钼物种的存在, 异丁烯选择氧化反应性能得到较大提高.     

基于不锈钢模板热压微模塑构建聚乙烯超疏水表面

采用含FeCl3的蚀刻液对不锈钢表面进行刻蚀,再以此蚀刻面为模板热压低密度聚乙烯(LDPE),冷却剥离得到LDPE微模塑表面。研究结果表明:静、动态接触角均超过150°,滚动角约5°,LDPE表面呈"花菜状"结构,即大"包"上密集分布着微米及亚微米级的小突起。本工艺可望结合工业上生产塑料薄膜的流延技术,实现聚合物超疏水表面的规模化生产。     

Clustering Structure of 10Be Studied with the Deformed RMF＋BCS Method

We investigate the nucleus 10Be using the deformed relativistic mean field （RMF） model and BCS theory. The calculated density distribution suggests two α clusters in the nucleus 10Be. According to BCS theory, the two valence neutrons transit to the first excited state 02＋ in a pair and form a 2-n cluster. By comparing the two neutron separation energy （S2n） with the single neutron separation energy （Sn）, and analyzing the difference between the neutron and proton rms radii （Rn-Rp） calculated by the deformed RMF, we suggest that 10Be is the best candidate for a two-neutron skin. The two-neutron skin clings to the 2α clusters closely and makes the two α clusters have cross and chain distribution.     

Effect of High Temperature Annealing on Conduction-Type ZnO Films Prepared by Direct-Current Magnetron Sputtering

We experimentally find that the ZnO thin films deposited by dc-magnetron sputtering have different conduction types after annealing at high temperature in different ambient. Hall measurements show that ZnO films annealed at 1100℃ in N2 and in 02 ambient become n-type and p-type, respectiveIy. This is due to the generation of different intrinsic defects by annealing in different ambient. X-ray photoelectron spectroscopy and photolumineseence measurements indicate that zinc interstitial becomes a main defects after annealing at 1100℃ in N2 ambient, and these defects play an important role for n-type conductivity of ZnO. While the ZnO films annealed at 1100℃ in O2 ambient, the oxygen antisite contributes ZnO films to p-type.     

Optimization of Experimental Discharge Parameters to Increase the Arc Efficiency of the Bucket Ion Source

Arc efficiency is a critical criterion for assessing the performance of the ion source. High are efficiency is necessary for a high power ion source, because it can decrease the load of the arc power supply. Thus the relationship between the discharge parameters （gas pressure, arc voltage, filament current, bias resistance connecting between the anode and plasma grid） and the arc efficiency is investigated in experiment especially. It is found that with increasing pressure, the arc efficiency increases fast if the pressure is below 0.4 Pa, but when it is above 0.4 Pa, the arc efficiency remains unchanged or increases slowly. If we increase the arc voltage or filament current, the arc efficiency decreases. The bias resistance also influences the arc efficiency, at the same pressure the arc efficiency increases with resistance.     

SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究

应用第一性原理方法研究了SiP化合物的结构和电子特性,并且将研究推广到其他第四族元素磷化物(IV-P).在研究的各种结构中,SiP单斜晶体结构是能量最低、最稳定的结构.SiP的体弹性模量比CN和CP化合物以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小.SiP不同的结构间能发生相变,其单斜晶体结构(monoclinic)在压强为6.2 GPa, 15.0 GPa, 19.3 GPa, 20.0 GPa 和 10.3 GPa时分别转变成GeP型结构、Rhom.型结构、β-InS型结构、 CsCl型结构和NaCl型结构.能带计算结果显示SiP单斜晶体结构(monoclinic)和GaSe型结构是间接带隙分别为1.123 eV 和 0.123 eV的半导体,SiP其他结构则显示出金属特性.其他化学比为1:1的第四族元素磷化物(IV-P)具有相同的性质.     

复Finsler子流形的全纯曲率

设M为n维复流形,F为M上的强拟凸的复Finsler度量,M是M的m维复子流形,F是F在M上诱导的复Finsler度量,D为（M,F）上的复Rund联络．本文证明了（1）（M,F）上的诱导复线性联络△↓的全纯曲率与（M,F）上的复Rund联络△↓^＊的全纯曲率相同;（2）联络△↓^＊的全纯曲率不超过联络D的全纯曲率;（3）（M,F）是（M,F）的全测地复Finsler子流形的充分必要条件是（M,F）的第2基本形式B（．,．）的适当形式的缩并为零,即B（x,l）=0．本文的证明主要利用复Finsler子流形（M,F）的Gauss,Codazzi和Ricci方程．     

一类分式线性变换群的有限子群

证明PGL(2,Q)中仅有17个系数形如m n p的分式线性变换有限子群并且决定了它们的构造,其中m,n是整数,p是素数.     

基于溢出效应与平台服务的竞争网络平台的销售模式研究

网络平台竞争与发展成为平台运营理论与实践的关键问题,急需解决。本文应用博弈论研究存在溢出效应和网络平台竞争环境下平台服务内生的网络平台销售模式选择,即网络平台商是允许制造商在其网络平台上直销产品的平台销售模式,还是网络平台商先从制造商购买产品再销售给消费者的转销模式。主要研究竞争网络平台的三种结构模型:双转销模式、双平台销售模式和混合模式。研究结果显示:网络平台商的利润随正溢出效应增加而增加,随负溢出效应增加而减少。当网络平台服务敏感程度较高且网络平台竞争较为激烈时,两个网络平台商均选择平台销售模式,形成占优均衡;此时,网络平台商获得最高利润,而且网络零售价和网络平台服务水平最高。